نسل دوم فرایند ۳ نانومتری GAA سامسونگ در سال ۲۰۲۴ وارد مرحلهی تولید انبوه میشود
انتظار میرود نسل دوم فرایند ۳ نانومتری GAA شرکت سامسونگ در سال ۲۰۲۴ وارد مرحلهی تولید انبوه شود و فروشندگان گوشیهای هوشمند برای ساخت تراشههای مبتنی بر لیتوگرافی ۳ نانومتری، همکاریهای جدیدی را با شرکت سامسونگ آغاز نمایند.
شرکت سامسونگ اخیراً عرضهی نسل اول تراشههای ساخته شده براساس معماری ۳ نانومتری GAA خود را آغاز نموده است؛ اما درحالحاضر هیچ یک از فروشندگان گوشیهای هوشمند به این فرایند جدید علاقهای نشان ندادهاند و برای سفارشهای آیندهی خود از ظرفیتهای TSMC بهره میبرند. با این حال، احتمال دارد سال ۲۰۲۴ شرایط به بهترین شکل تغییر کند؛ زیرا نسل دوم لیتوگرافی ۳ نانومتری GAA بهبود درخورتوجهی خواهد یافت که میتواند مشتریان بیشتری برای این فناوری بهدست آورد.
بهگزارش WccfTech، اولین سری تراشههای مبتنی بر فرایند ۳ نانومتری GAA شرکت سامسونگ برای سخت افزارهای استخراج رمزارز خواهد بود؛ زیرا اطلاعات فعلی به مشارکت این شرکت در توسعهی سیستم-روی-چیپهای (SoC) مخصوص گوشیهای هوشمند اشاره نمیکند. این یعنیاین شرکت دیگر روی ساخت Exynos 2300 کار نخواهد کرد که برای سری گلکسی S23 در نظر گرفته شده بود. سامسونگ با کوالکام به توافق رسیده است تا نسل بعدی پرچم داران خود را فقط با تراشههای اسنپدراگون عرضه کند.
بهطورکلی، جذب نشدن مشتریان برای شرکت سامسونگ شکست محسوب میشود؛ زیرا فرایند ۴ نانومتری این شرکت نیز مشکلات فراوانی مثل بازدهی ضعیف داشت و تعجبی ندارد که بسیاری از مشتریان سیستم-روی-چیپهای گوشیهای هوشمند ازجمله کوالکام تصمیم گرفته باشند سفارشهای ساخت تراشههای موردنیاز خود را به TSMC واگذار کنند.
البته براساس توییت سروان کندوججالا، حتی اگر مشتریان علاقهای به معماری ۳ نانومتری GAA سامسونگ نشان ندهند، نسل دوم این فرایند میتواند دوباره توجه بسیاری از شرکتها را به خود جلب نماید. بههرحال، این شرکت مدعی شده است که نسل دوم معماری ۳ نانومتری GAA درمقایسه با اولین نسل آن، پیشرفتهای درخورتوجهی خواهد کرد که ازجملهی آنها میتوان به کاهش مصرف انرژی تا ۵۰ درصد و افزایش عملکرد تا ۳۰ درصد و کاهش سطح مورد نیاز تا ۳۵ درصد اشاره کرد.
همهی این پیشرفتها با فرایند ۵ نانومتر یشرکت سامسونگ مقایسه میشوند؛ بنابراین، درحالیکه این کمپانی تفاوتهای آماری را بین معماری ۴ نانومتری خود ارائه نمیدهد، لیتوگرافی ۳ نانومتری GAA همچنان در بخشهای مختلف بهبود خواهد یافت. ممکن است کوالکام برای ساخت تراشههای مبنیبر معماری ۳ نانومتری GAA، دوباره با شرکت سامسونگ همکاری کند؛ اما به شرطی که TSMC در فرایند ۳ نانومتری خود با مشکل بازدهی مواجه شود. شاید به همین دلیل شایعه شده است که کوالکام از تأمین کنندهی تراشهی سابق خود درخواست کرده است تا درصورت تقاضا، نمونههایی تولید کنند تا ارزیابی شوند و مشخص شود آیا این لیتوگرافی جدید ارزش سفارش مجدد دارد یا خیر. در حال حاضر، شرکت سامسونگ محمولههای تراشههای مبتنی بر فرایند ۳ نانومتری خود را در تعداد محدود عرضه میکند؛ بنابراین، قبل از اعتماد مجدد کوالکام به این برند کرهای، میتواند همچنان بهطورمختصر از لیتوگرافی جدیدش درآمدزایی کند.
مطالب مرتبط: میکروفون کنفرانس ، راه اندازی اتاق کنفرانس ، میکروفون رومیزی کنفرانس ، قیمت میکروفون میز کنفرانس